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SKハイニックス、P&T7起工式を開催
(ソウル=聯合ニュース) SKハイニックスが22日、清州テクノポリス産業団地でP&T7の起工式を開催した。参加者たちが記念撮影を行っている。2026年4月22日 [SKハイニックス提供。転売およびDB禁止] photo@yna.co.kr

(ソウル=聯合ニュース) カン・テウ記者 = SKハイニックスが忠清北道清州に建設する予定の先端パッケージング工場（ファブ）「P&T7」が着工した。

急増する人工知能（AI）メモリ半導体の需要に先制的に対応する一方、地域経済全般に活力を吹き込むものと見込まれる。

SKハイニックスは22日、ニュースルームを通じて、清州テクノポリス産業団地でP&T7の起工式を開催したと明らかにした。この日の行事には、イ・ビョンギ量産総括をはじめとするSKハイニックスの役職員と家族、施工会社であるSKエコプラントの役職員など、約190名の関係者が出席した。

SKハイニックスの7番目のパッケージ＆テスト工場であるP&T7は、高帯域幅メモリ（HBM）などAIメモリ製造の核心である「アドバンスト・パッケージング」（Advanced Packaging）専用のファブだ。

メモリ半導体の製造過程において、ウェハー上に回路を形成してメモリセルや素子を実現する段階が「前工程」であるのに対し、パッケージングとテストは「後工程」に属する。

これは、完成したチップを切断し、パッケージング・検証を行って実用製品として完成させる段階だ。

SKハイニックスは、AIメモリ製造において性能と電力効率を左右するアドバンスト・パッケージング技術の重要性が急激に高まっていることを受け、今年1月に約19兆ウォン規模のP&T7建設を決定した。

P&T7はテクノポリス内に約23万㎡（7万坪）の規模で造成され、クリーンルームの面積だけでも約15万㎡（4万6千坪）に達する。来年10月のウェハーテスト（WT）ラインを皮切りに、2028年2月までにウェハーレベルパッケージング（WLP）ラインなどを順次竣工させることを目標としている。

これにより、SKハイニックスは首都圏である京畿道利川と非首都圏である清州、そして最近基礎建設作業に着手した米国インディアナ州ウェストラフィエットの生産拠点まで、計3カ所のアドバンスト・パッケージング拠点を確保することになった。

特に今回のP&T7建設により、SKハイニックスの清州キャンパスは、NANDフラッシュやHBM、DRAMなどの生産から最先端のパッケージングまでを網羅する統合半導体クラスターの体制を完成させた。

現在、清州にはNANDを生産するM11・M12・M15ファブと後工程を担当するP&T3が稼働中であり、ここに2024年のHBMなど次世代DRAMの生産能力確保のため、総額20兆ウォンを投資して建設することを決定したM15Xも位置している。

M15Xは当初の計画より前倒しで昨年10月に最初のクリーンルームを開設したのに続き、今年2月にはウェハーも投入したと伝えられている。また、同月に2番目のクリーンルームを開設し、設備を順次搬入・設置するなど、本格的な量産体制の構築に拍車をかけている。

何よりもP&T7への投資は、国家の不均衡解消と地域共生という側面でも大きな意味を持つと、同社は説明している。

SKハイニックスは、首都圏中心の産業構造を緩和し、地域の均衡ある発展を図るため、清州を最終的な立地として選定した。

実際、工事期間中には最大9,000人の人材が投入され、地域経済に活気を吹き込むものと見られる。完工後も、P&T7の運営のために約3,000人の人材が常駐することになる。大規模な産業団地の活性化に伴う生活インフラの拡充や交通網の改善といった連鎖的な波及効果を通じて、地域住民の定住環境も改善される見通しだ。

また、清州地域の協力会社を対象とした共生成長プログラムを拡大し、地域産業エコシステム全体の競争力を高める好循環構造を強固にする構想だ。

イ量産総括は「P&T7はSKハイニックスのAIメモリにおけるリーダーシップを完結させる中核生産拠点」とし、「国家の産業競争力強化と地域との共生という成功モデルを完成させる」と述べた。

burning@yna.co.kr



原文記事

出所：聯合ニュース(2026.04.22.)

**本内容は上記のウェブ版に掲載されている記事を訳したものです。