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100万倍速い次世代メモリ_Vメモリ
作成日
2022.03.10
会社紹介
Vメモリ(株)は6G、7G時代に備えた次世代メモリ半導体技術を保有しています。新しい物質と半導体素子の構造を利用し、既存のフラッシュメモリに比べて100万倍速い速度、半永久的な読み書き寿命やデータ保存寿命、低消費電力動作に基づき、未来の半導体産業をリードしていきます。
開発の背景
半導体産業は絶えまぬ革新を通じてより小さいサイズ、より速い速度を実現することで技術的な限界を超え続けています。既存のフラッシュメモリは1㎳の動作速度、10万回に限られた読み書き、5年程度のデータ保存寿命などの限界があるため、AI、ビックデータ基盤の未来社会に適切な次世代半導体素子の開発が必要です。Vメモリはこのような限界を克服できる次世代メモリ半導体としてのその応用可能性を検証しました。
製品または技術の紹介
Vメモリは既存のフラッシュメモリの工程を大幅に短縮して生産原価を低減させ、VLというドメインを、ゲード電圧を加えることで生成、または消滅させてメモリを実現します。これを通じて100万倍速い速度、制限のない読み書き、半永久的な寿命、低消費電力による駆動が可能です。
会社の競争力及び事業戦略
弊社は半導体メモリの世界的な技術競争力を基に次世代メモリ事業に貢献します。Vメモリの技術については韓国だけでなく、米国、中国、日本、欧州、PCTなどに60件以上の特許を出願、登録しています。現在、単位素子の実現を超えてウェハスケールのメモリ素子を製造し、2千万ドルの投資を誘致してDRAMとフラッシュメモリに代わる素子を作る計画です。今後1億ドルの投資を誘致し、GPU、CPU級の素子を製造し、この技術及び特許のメモリ量産メーカーへの技術移転またはロイヤリティ事業の推進を目標としています。
今後の計画
Vメモリのコア特許をより強化し、555件以上の特許を出願、登録しています。技術的な優位とオリジナル特許を基にビジネスを強化して1億ドルの投資を誘致し、10年後は400億ドル規模以上の市場を占める計画です。
Vメモリの予想営業利益
| 短期 | 中期6G サービス | 長期 | |
|---|---|---|---|
| タイムライン | 設立~3年 | 4年~7年 | 8年~10年 |
| Vmemory 市場シェア(Bill$) | ~8.6 | ~146 | ~400 |
| 技術料(Bill$) | 0.86 | 10.2 | 20 |
| Vmemoryチップシェア(Bill$) | 0.27 | 75.1 | 285.5 |
| 総販売額(Bill$) | 1.1 | 85.4 | 305.5 |
| R&D投資費(Bill$) | 0.17 | 12.8 | 45.8 |
| 営業利益の手数料(Bill$) | 0.79 | 38.2 | 130.2 |
| 企業価値(PER9.0) | 5.4 | 258.1 | 878.8 |