公司介绍
V存储器(株)拥有新一代存储器半导体技术,可应对6G、7G时代。公司使用新型物质和元件结构,研发出速度比现有闪存快百万倍并可半永久性读写及数据保存的低能耗产品,将引领未来半导体产业。
开发背景
半导体产业推陈出新,实现更小、更快,不断超越技术局限。现有闪存的运行速度为1ms,读写寿命仅为10万次,数据保存期限为5年左右,由于上述局限性,为满足以AI、大数据为基础的未来社会需求,需要开发新一代的元件。V-memory作为新一代存储器半导体,可突破上述局限,并验证了其应用潜力。
产品及技术介绍
V-memory可大幅缩短现有闪存的工艺,进而降低生产成本,通过施加栅极电压生成或消除VL域名来完成存储器。通过此类方式,可以提升速度百万倍,实现无限次读写、半永久寿命和低能耗驱动。
公司竞争力及业务战略
公司以存储器半导体的世界级技术竞争力为基础,将致力于新一代存储器领域发展。公司不仅在韩国申请和注册V-memory技术相关专利,还在美国、中国、日本、欧洲、PCT等申请60多项专利。 公司计划超越当前单位元件制造出晶片级存储器元件,并吸引2千万美元的投资,制造能够代替DRAM和FLASH存储器的元件。 之后再引进1亿美元的投资,制作成GPU、CPU级元件,计划将本技术和专利转让给存储器量产企业,或者开展专利使用费业务。
未来计划
公司将进一步升级V-memory的核心专利技术,申请并注册555项以上专利。 以技术优势和原技术专利为基础,加强业务能力,引进1亿美元的投资,10年后目标占据400亿美元以上的市场份额。