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韩联网消息：

       (大田=韩联网)据分析，关于新一代存储器元件“强电介质元件”，韩国的专利申请位居世界第一。

       据知识产权局18日公布的数据，对2012年至2023年近12年间向全球五大知识产权机构(IP5，即韩国、美国、中国、欧盟、日本)提交的强电介质元件领域专利进行分析后发现，韩国以43.1%(395件)的申请量位居首位。

       韩国年均增长率也以18.7%位居首位，在申请量和增长率两方面均占据榜首。

       利用强电介质的元件相比其他下一代技术，能够直接应用到现有半导体设备，无需新增设备投资即可实现量产。强介电体器件为高集成度AI芯片制造提供了最优条件，正逐步确立其作为引领下一代AI存储器产业核心材料的地位。

       按申请国别统计，韩国以395件(43.1%)居申请量首位，其次为美国260件(28.4%)、日本170件(18.5%)、中国42件(4.6%)、欧盟38件(4.1%)。

       同期年均增长率方面，韩国以18.7%位居第一，中国(14.7%)和美国(12.5%)紧随其后。

       三星电子(韩国，27.8%，255件)是申请量最多的企业，其次是英特尔(美国，21.0%，193件)、SK海力士(韩国，13.4%，123件)和台积电(台湾，10.1%，93件)。

       当局特别指出，以2021至2023年近三年为基准，三星电子(139件)与SK海力士(86件)分列全球前两位，证实韩国正主导全球AI存储强电介质元件的研发。

       半导体审查推进团团长金熙泰表示：“随着强电介质元件领域技术成熟度提升，围绕商用技术先发优势的专利权争夺日趋激烈。我们将通过构建相关机构协作体系、向产业界共享专利分析成果等举措，全力支持本国企业引领下一代AI存储技术发展。”

kjunho@yna.co.kr

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原文记事

来源：韩联网(2026.01.18.)

~~*此记事原文为韩国语电子版*~~