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백만 배 빠른 차세대 메모리 : 브이메모리
작성일
2022.03.07
조회수
424

회사소개

브이메모리㈜는 6G, 7G 시대를 대비하는 차세대 메모리 반도체 기술을 보유하고 있습니다. 새로운 물질과 소자구조를 이용하여 기존 플래시 메모리 대비 백만 배 빠른 속도, 반영구적인 쓰기/읽기 수명과 데이터 보존수명, 저전력 동작을 기반으로 미래 반도체 산업을 선도해 나가고자 합니다.

개발배경

반도체 산업은 끊임없는 혁신을 통해 더 작으면서도 더 빠른 속도를 구현함으로써 기술적 한계를 지속적으로 넘어서고 있습니다. 기존 플래시 메모리는 1 ms의 동작속도, 10만회 읽기/쓰기 한계, 5년 정도의 데이터 보존수명 등 여러 한계점으로 인해 AI, 빅데이터를 기반으로 한 미래 사회에 적합한 차세대 소자의 개발이 필요합니다. 브이메모리는 이러한 한계를 극복할 수 있는 차세대 메모리 반도체로써 그 응용가능성을 검증하였습니다.

제품 및 기술소개

브이메모리는 기존 플래시 메모리의 공정을 대폭 단축시켜서 생산원가를 절감시킬 수 있고, VL이라는 도메인을 게이트 전압을 가해 생성시키거나 소멸시켜 메모리를 구현합니다. 이를 통해 100만배 빠른 속도, 무한정 읽기/쓰기, 반영구적 수명, 저전력 구동이 가능합니다.
브이메모리

회사 경쟁력 및 사업전략

우리는 메모리 반도체의 세계적 기술 경쟁력을 바탕으로 차세대 메모리 사업에 기여할 것입니다. 본 브이메모리 기술은 국내 뿐 아니라 미국, 중국, 일본, 유럽, PCT 등에 60건이 넘는 특허를 출원 및 등록하였습니다. 현재 단위소자의 구현을 넘어서 웨이퍼 스케일의 메모리 소자를 제작하고자 하며, 2천만불 투자를 유치하여 DRAM과 FLASH메모리를 대체할 수 있는 소자를 제작하고자 합니다. 이후 1억불 투자를 유치하여 GPU, CPU급 소자로 제작하고 본 기술 및 특허를 메모리 양산업체에 기술이전 또는 로열티 사업을 추진을 목표로 하고 있습니다.

향후계획

브이메모리의 핵심특허를 더욱 강화하여 555개 이상의 특허를 출원 및 등록할 것입니다. 기술적 우위와 원천특허를 바탕으로 비즈니스를 강화하여 1억불 투자를 유치하고, 10년 후 400억 달러 이상 규모의 시장을 점유할 것입니다.
브이메모리 예상 영업이익
브이메모리 예상 영업이익
단기 중기 6G 서비스 장기
타임라인 설립~3년 4년~7년 8년~10년
Vmemory 시장점유율(Bill$) ~8.6 ~146 ~400
기술료(Bill$) 0.86 10.2 20
Vmemory 칩 점유율(Bill$) 0.27 75.1 285.5
총 판매액(Bill$) 1.1 85.4 305.5
연구개발투자비(Bill$) 0.17 12.8 45.8
영업수익 수수료(Bill$) 0.79 38.2 130.2
기업가치(PER9.0) 5.4 258.1 878.8
메타정보